沒錯(cuò)，這是因?yàn)?.....張宇京對此信手拈來FinFET目前在高密集運(yùn)算（能耗大，比較熱）占據(jù)上風(fēng)，但FD－SOI卻在低功耗，防輻射，低軟錯(cuò)誤率，耐高溫和EMC，和車載可靠性方面有著無可比擬的優(yōu)勢，相對來說SOI技術(shù)更適合車聯(lián)網(wǎng)，物聯(lián)網(wǎng)，智能穿戴設(shè)備等等。換句話說，它們一個(gè)是現(xiàn)在，另外一個(gè)是未來，起碼對特許半導(dǎo)體是這樣。
這交互境已經(jīng)跟前面的感應(yīng)境有所不同。
玄之啊，你終于來了，可把我急死了?？吹搅耗汉纬霈F(xiàn)，婁教授趕緊迎接了上去。
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